芯片解密不可能做到成功率百分之百，有極少數(shù)情況下會(huì)出現(xiàn)芯片解密失敗，芯片解密失敗的原因主要有哪些？總結(jié)芯片解密失敗的原因可以防止或降低下次類(lèi)似情況出現(xiàn)時(shí)可能造成的芯片解密失敗，芯片解密失敗主要有兩大方面的原因。

一是開(kāi)蓋

開(kāi)蓋要求對(duì)晶圓位置有比較準(zhǔn)確的判斷，有的在正面，有的在背面，用硝酸將封裝熔開(kāi)一個(gè)洞，漏出晶圓為止（這里就是問(wèn)題所在了，怎樣控制讓該漏的地方漏出來(lái)，不該腐蝕的地方保留下來(lái)，時(shí)間和時(shí)機(jī)都很重要），然后迅速用丙酮進(jìn)行清洗，配合超聲波去除表面雜質(zhì)。

芯片解密開(kāi)蓋容易出問(wèn)題的地方包括以下幾個(gè)方面：

時(shí)間控制的不好，PAD腐蝕壞，外部不能讀出程序；

芯片流片工藝不好，腐蝕的時(shí)候容易將芯片表面鈍化層損壞，使管芯失效；

開(kāi)蓋的時(shí)候硝酸撒到芯片管腳上會(huì)破壞管腳影響讀取；

晶圓與管腳之間的AL線是很脆弱的，無(wú)意中碰斷的情況也是存在的；

單片機(jī)封裝采用特殊材料，無(wú)法和酸反應(yīng)；

有一些芯片比較特殊，晶圓不在芯片中間位置，或者在背面，經(jīng)驗(yàn)不豐富的話很容易開(kāi)錯(cuò)導(dǎo)致芯片損壞；

芯片采用銅工藝或鋁工藝或者合金工藝，用酸進(jìn)行開(kāi)蓋的時(shí)候會(huì)將內(nèi)部連線一并腐蝕掉。

二是FIB加工過(guò)程有誤

我們?cè)谶M(jìn)行FIB加工的過(guò)程中也有一些情況可能導(dǎo)致解密失敗：

FIB連線過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致離子注入失效，從而無(wú)法對(duì)晶圓進(jìn)行加工導(dǎo)致失敗；

離子注入強(qiáng)度沒(méi)有掌握好；

芯片流片工藝小，加工過(guò)程中沒(méi)有找準(zhǔn)確位置；

FIB設(shè)備本身精度等方面存在問(wèn)題，設(shè)備存在一定的問(wèn)題。

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